在半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選消除在多個(gè)半導(dǎo)體芯片中分別流通的電流的不均衡。

在本發(fā)明的第1方式中，提供一種半導(dǎo)體裝置，具備：半導(dǎo)體芯片；第1電流輸入輸出部，其與半導(dǎo)體芯片電連接；第2電流輸入輸出部，其與半導(dǎo)體芯片電連接；3個(gè)以上的導(dǎo)通部，其在第1電流輸入輸出部與第2電流輸入輸出部之間設(shè)置有半導(dǎo)體芯片；以及電流路徑部，其具有與3個(gè)以上的導(dǎo)通部分別導(dǎo)通的電流路徑，電流路徑部包含多個(gè)狹縫。

導(dǎo)通部可以為半導(dǎo)體芯片。

半導(dǎo)體裝置還可以具備設(shè)置有半導(dǎo)體芯片的絕緣基板。電流路徑部可以為設(shè)置于絕緣基板上的導(dǎo)電性圖案。

半導(dǎo)體裝置還可以具備與半導(dǎo)體芯片電連接的引線框。電流路徑部可以為引線框。

半導(dǎo)體裝置還可以具備設(shè)置有半導(dǎo)體芯片的絕緣基板。導(dǎo)通部可以為絕緣基板。

半導(dǎo)體裝置還可以具備用于將半導(dǎo)體芯片與外部端子電連接的端子排。

電流路徑部可以為端子排。

第1電流輸入輸出部可以為電流輸入部。第2電流輸入輸出部可以為電流輸出部。3個(gè)以上的導(dǎo)通部可以具有依次配置的第1導(dǎo)通部、第2導(dǎo)通部和第3導(dǎo)通部。多個(gè)狹縫可以具有第1狹縫和第2狹縫。第1狹縫的端部可以設(shè)置于電流輸出部與第1導(dǎo)通部之間。第2狹縫的端部可以設(shè)置于第1導(dǎo)通部與第2導(dǎo)通部之間。

3個(gè)以上的導(dǎo)通部可以具有第1導(dǎo)通部、第2導(dǎo)通部和第3導(dǎo)通部。多個(gè)狹縫可以具有第1狹縫和第2狹縫。第1狹縫的端部可以設(shè)置于第1導(dǎo)通部與第2導(dǎo)通部之間。第2狹縫的端部可以設(shè)置于第2導(dǎo)通部與第3導(dǎo)通部之間。

多個(gè)狹縫可以包含l型的狹縫和f型的狹縫。

多個(gè)狹縫可以包含l型的狹縫和i型的狹縫。

第1電流輸入輸出部可以為電流輸入部。第2電流輸入輸出部可以為電流輸出部。多個(gè)狹縫可以設(shè)置于比導(dǎo)通部靠近電流輸入部側(cè)的位置。

第1電流輸入輸出部可以為電流輸入部。第2電流輸入輸出部可以為電流輸出部。多個(gè)狹縫可以設(shè)置于比導(dǎo)通部靠近電流輸出部側(cè)的位置。

多個(gè)狹縫可以由圖案形成。

半導(dǎo)體裝置可以在多個(gè)狹縫具備絕緣性的振動(dòng)吸收部件。

3個(gè)以上的導(dǎo)通部可以均具備：第1晶體管，其集電極端子與p端子連接；第2晶體管，其發(fā)射極端子與n端子連接，且與第1晶體管串聯(lián)連接；第3晶體管和第4晶體管，其構(gòu)成雙向開關(guān)。第1晶體管的發(fā)射極端子與第2晶體管的集電極端子的連接點(diǎn)可以連接于u端子。雙向開關(guān)的一端可以與連接點(diǎn)連接，另一端可以與m端子連接。

3個(gè)以上的導(dǎo)通部可以均具備：第1晶體管，其集電極端子與p端子連接；第2晶體管，其發(fā)射極端子與n端子連接；第3晶體管，其與第1晶體管串聯(lián)連接；第4晶體管，其與第3晶體管和第2晶體管串聯(lián)連接；以及2個(gè)二極管，其串聯(lián)地設(shè)置于第3晶體管的集電極端子與第4晶體管的發(fā)射極端子之間。第3晶體管的發(fā)射極端子與第4晶體管的集電極端子的連接點(diǎn)可以連接于u端子。2個(gè)二極管之間的連接點(diǎn)可以連接于m端子。

第1電流輸入輸出部和第2電流輸入輸出部中的一個(gè)可以設(shè)置于比具有3個(gè)以上的導(dǎo)通部的區(qū)域的中央靠近半導(dǎo)體裝置的中心側(cè)的位置。多個(gè)狹縫可以設(shè)置于半導(dǎo)體裝置的中心側(cè)的電流路徑部。

半導(dǎo)體裝置可以具備：第1區(qū)域，其具有電流路徑；第2區(qū)域，其在第1方向上與第1區(qū)域并列地配置，具有在第1方向上并聯(lián)配置的3個(gè)以上的導(dǎo)通部；第3區(qū)域，其在與第1方向垂直的第2方向上與第1區(qū)域并列地配置，且具有與第1區(qū)域電連接的電流路徑；以及第4區(qū)域，其在第2方向上與第2區(qū)域并列地配置，且在第1方向上與第3區(qū)域并列地配置，具有與第2區(qū)域和第3區(qū)域分別電連接的電流路徑。多個(gè)狹縫40可以設(shè)置于與第2區(qū)域所具備的3個(gè)以上的導(dǎo)通部分別導(dǎo)通的電流路徑部中的到配置在最靠近第1區(qū)域的位置的導(dǎo)通部為止的電流路徑部。

在本發(fā)明的第2方式中，提供一種半導(dǎo)體裝置，具備：半導(dǎo)體芯片；第1電流輸入輸出部和第2電流輸入輸出部，其與半導(dǎo)體芯片電連接；多個(gè)導(dǎo)通部，其設(shè)置于第1電流輸入輸出部與第2電流輸入輸出部之間，且設(shè)置有半導(dǎo)體芯片；以及多個(gè)電流路徑部，其具有與多個(gè)導(dǎo)通部導(dǎo)通的電流路徑，多個(gè)電流路徑部具有材料不同的多個(gè)電流路徑。

應(yīng)予說明，上述的發(fā)明內(nèi)容未列舉本發(fā)明的所有特征。另外，這些特征群的子組合也另外能夠成為發(fā)明。